AN7142
Интегральная микросхема AN7142 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS5 с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты.
Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 20 V
Pвыхmax 2,1 W
Icc0(Uвх=0) 22 mA
Rвх 120KΩ
Ку,напр. 68dB
ΔF 30Hz- 18KHz
Кг(Pвых=0,2W,f=l KHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
AN7145L, AN7145M, AN7145H, AN7146M, AN7146H
Перечисленные интегральные микросхемы фирмы Matsushita выполнены вкорпусах SDIP с 18 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных ирадиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
| Uccinin | Uccmax | Icc0 | ΔF | Rвых | Pвых | Кг | Ку,напр. |
|---|
| AN7145L | 6V | 20V | 25mA | 40Hz-18KHz | 4Ω | 1W | 0,2% | 42dB |
| AN7145M | 9V | 20V | 30mA | 40Hz-18KHz | 4Ω | 2,4W | 0,2% | 42dB |
| AN7145H | 12V | 24V | 40mA | 40Hz-18KHz | ЗП | 7,5W | 0,2% | 42dB |
| AN7146M | 9V | 20V | 32mA | 40Hz-18KHz | 4Ω | 2,3W | 0,2% | 42dB |
| AN7146H | 9V | 20V | 40mA | 40Hz-18KHz | 4Ω | 4,5W | 0,2% | 42dB |
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
AN7156
Интегральная микросхема AN7156 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, и другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 24 V
Pвых(13V/4Ω) 5,5 W
Icc0(Uвх=0) 70 mA
Rвх 100КΩ
Ку,напр. 56dB
ΔF 30Hz-18KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
AN7158, AN7166
Интегральные микросхемы AN7158 и AN7166 фирмы Matsushita выполнены в корпусах SIP2 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
| AN7158 | AN7166 |
| Uccmax | 24 V | 24 V |
| Icc0(Uвх=0) | 35 mA | 30 mA |
| Рвыхmах | 7,5 W | 5,5 W |
| Ку,напр. | 56 dB | 52 dB |
| ΔF | 30Hz-18KHz | 30Hz-18KHz |
| Кг | 0,1% | 0,15% |
| Rвыхnom | 4Ω | 4Ω |
AN7161
Интегральная микросхема AN7161 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 11 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 26 V
Icc0(Uвх=0) 65 mA
Рвых(15V/4Ω) 10 W
Ку,напр. 48 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%
Rвыхnom 4Ω
AN7163
Интегральная микросхема AN7163 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, а так же электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 12 V
Uccmax 16 V
Icc0(Uвх=0) 60 mA
Pвыхmax 17 W
Ку,напр. 52 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%
Rвыхnom 4Ω
AN7170
Интегральная микросхема AN7170 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 11 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 8 V
Uccmax 35 V
Icc0(Uвх=0) 75 mA
Pвых(26V/4Ω) 18 W
Ку,напр. 52 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%
Rвыхnom 8Ω
AN7171
Интегральная микросхема AN7171 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS6 с 16 выводами и представляет собой двухканальныи (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты, оба канала которого выполнены по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рисунке. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 15 V
Icc0(Uвх=0) 45 mA
Рвыхmах 12 W
Rвх 150 KΩ
Ку,напр. 48 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
BA5204, BA5204F
Интегральные микросхемы ВА5204 и BA5204F фирмы Rohm выполнены в корпусах DIP (ВА5204) или SO (BA5204F) с 16 выводами и представляют собой двухканальные (стерео) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в переносных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 1,5 V
Uccmax 4,5 V
Pвых(3V/32Ω) 35 mW
Icc0(Uвх=0) 13 mA
Ку,напр. 62 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Uвхmax 15 mV
Кг(Pвых=5mW f=lKHz) 0,05%
Uвх0 12 mV
Rвыхnom 32Ω
ESM231N, TBA790, TBA790LA, TBA790LB, TBA790LC, TBA790KD,
TCA150КА, TCA150KB, TDA1042, TDA1042B, UL1490N, UL1491R,
UL1492R, UL1493R
Интегральные микросхемы ESM231N, TBA790, TBA790LA, TBA790LB, TBA790LC, TBA790KD (Thomson), TCA150KA, TCA150KB, (Mullard), TDA1042, TDA1042B (SGS), UL1490N, UL1491R, UL1492R, UL1493R (Unitra) выполнены в корпусах DIP (кроме ESM231N, которая выполнена в корпусе TABS7) с 14 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Обратите особое внимание на микросхемы TBA790 и ТСА150, так как они выпускаются в трех вариантах (с различными цоколевками) и их можно отличать только по суффиксу. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
| Uccmin | Uccmax | Icc0 | ΔF | Rвых | Pвых | Кг | Ку,напр. |
|---|
| ESM231N | 9V | 30V | 25mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 18W | 0,5% | 48dB |
| TBA790 | 6V | 12V | 6mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 1,2W | 0,5% | 42dB |
| TBA790LA | 6V | 12V | бтА | 40Hz-15KHz | 8Ω | 1,2W | 2,5% | 42dB |
| TBA790LB | 6V | 15V | 8mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 2,2W | 2,5% | 42dB |
| TBA790LC | 6V | 12V | 6mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 2,2W | 2,5% | 42dB |
| TBA790KD | 6V | 18V | 10mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 3.45W | 2,5% | 62dB |
| TCA150KA | 9V | 15V | 9mA | 40Hz-15KHz | 4Ω | 4W | 0,5% | 62dB |
| TCA150KB | 9V | 18V | 11mA | 40Hz-15KHz | 4Ω | 5,5W | 0,5% | 62dB |
| TDA1042 | 9V | 18V | 10mA | 40Hz-20KHz | 2Ω | 10W | 0,2% | 62dB |
| TDA1042B | 9V | 18V | 10mA | 40Hz-20KHz | 2Ω | 10W | 0,2% | 62dB |
| UL1490N | 6V | 12V | 10mA | 40Hz-15KHz | 15Ω | 0,65W | 1,5% | 46dB |
| UL1491R | 6V | 12V | 10mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 1,2W | 1,5% | 46dB |
| UL1492R | 6V | 15V | 10mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 2,1W | 1,5% | 46dB |
| UL1493R | 6V | 12V | 10mA | 40Hz-15KHz | 4Ω | 2,1W | 1,5% | 46dB |
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
ESM1231C, TDA1103, TDA1103SP
Интегральнаые микросхемы ESM1231C (Thomson), TDA1103 и TDA1103SP (SGS) выполнены в корпусах SIP1 с 11 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin 12 V
Uccmax 32 V
Icc0(Uвх=0) 30 mA
Pвыхmax 20 W
Ку,напр. 52 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%
Rвыхnom 4Ω
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке.
HA1374, HA1374A
Интегральные микросхемы HA1374 и HA1374A фирмы Hitachi выполнены в корпусах SIP4 с 10 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
| HA1374 | HA1374A |
| Uccmin | 8 V | 8 V |
| Uccmax | 22 V | 25 V |
| Icc0(Uвх=0) | 36 mA | 36 mA |
| Pвыхmax | 3 W | 4 W |
| Rвх | 100КΩ | 100КΩ |
| Ку,напр. | 32 dB | 32 dB |
| ΔF | 30Hz-20KHz | 30Hz-20KHz |
| Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) | 0,2% | 0,15% |
| Rвыхnom | 8Ω | 8Ω |
HA1392
Интегральная микросхема HA1392 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP7 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Переключатель SW1 выполняет функцию «MUTE». В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 8 V
Uccmax 18 V
Icc0(Uвх=0) 36 mA
Pвых(12V/4Ω) 4,3 W
Rвх 120 КΩ
Ку,напр. 42 dB
ΔF 30Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
HA1396
Интегральная микросхема HA1396 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных кассетных магнитофонах высокого класса. Переключатель SW1 выполняет функцию «MUTE».Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 8 V
Uccmax 18 V
Icc0(Uвх=0) 140 mA
Pвых(13V/4Ω) 20 W
Ку,напр. 42 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=lW, f=lKHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
К174УН14, L142, LM383, LM383A, LM2002, LM2002A,
TDA1410H, TDA1420H, TDA2002, TDA2003, TDA2008,
ULN3701Z, ULN3702Z, ULN3703Z, uPC2002
Интегральные микросхемы К174УН14 (СНГ), LM383 и LM2002 (National Semiconductor), L142, TDA1410H, TDA1420H, TDA2002, TDA2003 и TDA2008 (SGS.Thomson), ULN3701Z, ULN3702Z и ULN3703Z (Sprague), uPC2002 (NEC) выполнены в корпусах ТO-220 с 5 выводами сформованными в два ряда параллельно плоскости корпуса. У микросхем с суффиксами А и V выводы согнуты перпендикулярно плоскости корпуса. Представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
| Uccmin | Uccmax | Icc0 | ΔF | Rвых | Pвых | Кг | Ку,напр. |
|---|
| К174УН14 | 8V | 18V | 45mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 4,5W | 0,25% | 48dB |
| L142 | 5V | 40V | 20mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 20W | 0,2% | 48dB |
| LM383 | 5V | 22V | 45mA | 40Hz-20KHz | 40. | 7W | 0,2% | 48dB |
| LM2002 | 5V | 20V | 45mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 8W | 0,2% | 48dB |
| TDA1410H | 8V | 36V | 20mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 16W | 0,2% | 48dB |
| TDA1420H | 8V | 44V | 20mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 30W | 0,2% | 48dB |
| TDA2002 | 8V | 18V | 45mA | 40Hz-20KHz | 2ft | 8W | 0,2% | 48dB |
| TDA2003 | 8V | 18V | 44mA | 40Hz-20KHz | 10. | 10W | 0,2% | 42dB |
| TDA2008 | 8V | 18V | 65mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 12W | 0,5% | 48dB |
| ULN3701Z | 8V | 18V | 45mA | 35Hz-20KHz | 2Ω | 10W | 0,1% | 42dB |
| ULN3702Z | 8V | 26V | 80mA | 35Hz-20KHz | 4Ω | 12W | 0,1% | 42dB |
| ULN3703Z | 8V | 18V | 44mA | 35Hz-20KHz | 2Ω | 10W | 0,1% | 42dB |
| uPC2002 | 8V | 18V | 55mA | 40Hz-20KHz | 2Ω | 9W | 0,2% | 48dB |
K174УH22, KA2209, L272M, L2722, NJM2073, TDA2822M, TDA2822D, U2822B, U2823B
Интегральные микросхемы К174УН22 (СНГ), КА2209 (Samsung), NJM2073 (New Japan Radio), L272M, L2722, TDA2822M и TDA2822D (SGSThomson), U2822B и U2823B (Telefunken) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP-8 (TDA2822D — SO c 8 выводами). Представляют собой двухканальные усилители мощности и предназначены для аппаратуры с питанием от батарей. Микросхемы можно включать по мостовой схеме. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и теплозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы нет необходимости в теплоотводе. Основные параметры:
| Uccmin | 1,8 V |
| Uccmax | 9 V |
| Icc0(Uвх.=0) | 9 mA |
| Pвых.(6V/4Ω) | 0,65 W |
| Kу | 62 dB |
| ΔF | 30Hz-18KHz |
| Кг(Pвых.=0,01W,f=1KHz) | 0,05% |
| Rвых. | 4Ω |
KA2211, TA7240P, TA7241P
Интегральные микросхемы KA2211 (Samsung), TA7240P, TA7241P (Toshiba) с идентичными схемами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в кассетных магнитофонах, электрофонах, радио и телевизионных приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Если у микросхем KA2211, TA7240P расположение выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у TA7241P инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 18 V
Pвыхmax 5,8 W
Icc0(Uвх=0) 80 mA
Ку,напр. 52 dB
ΔF 30Hz-20KHz
Кг(Pвых=500mW, f=lKHz) 0,2%
Rвыхnom 4Ω
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
KA22101, TA7250BP, TA7251BP
Интегральные микросхемы KA22101 (Samsung), ТА7250ВР и ТА7251ВР (Toshiba) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами (у микросхемы ТА7251ВР инверсная нумерация выводов справа налево) и представляют собой усилители мощности низкой частоты выполненные по мостовой схеме. Предназначены для использования в автомобильных кассетных магнитофонах и электрофонах среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 18 V
Icc0(Uвх=0) 120 mA
Pвых.max 23 W
Ку,напр. 46 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=1W, f=1KHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
