Характеристики некоторых фоторезистов применяемых в промышленности

Фоторезисты ФП-383 и ФП-383М (ТУ 6-14-632-86)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, металлизированных шаблонов, шкал, сеток, печатных плат.

NoХарактеристикиНорма
1Внешний вид фоторезистаЖидкость красно-корич цвета без осадка
2Внешний вид пленки фоторезистаГладкая без разрывов
3Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более2,0
4Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек6,0 — 6,5
5Разрешаюшая способность, мкм, не более2,0
6Толщина пленки фоторезиста, мкм1,0 — 1,2
7Число оборотов при нанесении, об/мин3000,0
8Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее3,0
9Проявитель2% раствор в воде Na3PO4

Фоторезист ФП-25 (ТУ 6-14-531-89)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.

NoХарактеристикиНорма
1Внешний вид фоторезистаЖидкость красно-корич цвета без осадка
2Внешний вид пленки фоторезистаГладкая без разрывов
5Разрешаюшая способность, мкм, не более20,0
6Толщина пленки фоторезиста, мкм6 — 8
8Устойчивость пленки фоторезиста к травителю для кремния (HF+HNO3+CH3COOH — 1:10:1), не менее, минут14,0
9Проявитель0,5% водный раствор КОН

Фоторезист ФП-РН-7С (ТУ 6-36-00206842-27-93)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов, шкал, сеток.

NoХарактеристикиНорма
1Внешний вид фоторезистаЖидкость красно-корич цвета без осадка
2Внешний вид пленки фоторезистаГладкая без разрывов
3Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более1,5
4Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек2,0 — 2,5
5Разрешаюшая способность, мкм, не более2,5
6Толщина пленки фоторезиста, мкм0,7 — 1,1
7Число оборотов при нанесении, об/мин2500,0
8Контраст проявления пленки, отн. ед., не менее90,0

Фоторезист ФП-4-04 марка В (ТУ 6-14-1092-88)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов, больших и сверхбольших интегральных схем с использованием контактного и проекционного экспонирования в области длин волн 300-405 нм. Выпускается трех марок А, В и С

NoХарактеристикиНорма
марка Aмарка Bмарка C
1Внешний вид фоторезистаЖидкость красно-корич цвета без осадка
2Внешний вид пленки фоторезистаГладкая без разрывов
3Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более2,02,02,0
4Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек4,515,021,5
5Разрешаюшая способность, мкм, не более2,02,02,0
6Толщина пленки фоторезиста, мкм0,51,52,0
7Число оборотов при нанесении, об/мин3000,03000,03000,0
8Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее10,012,015,0
9Локальная разнотолщинность пленки, нм, не более203040
10Светочувствительность, мдж/см2, не более60120150

Фоторезист ФП-27-18БС марка А (ТУ 6-14-424-88)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве печатных плат, микросхем, сеток, шкал, масок с применением гальванической обработки.

NoХарактеристикиНорма
1Внешний вид фоторезистаЖидкость красно-корич цвета без осадка
2Внешний вид пленки фоторезистаГладкая без разрывов
3Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более17,0 — 20,0
5Разрешаюшая способность, мкм, не более100,0
6Толщина пленки фоторезиста, мкм2,6 — 3,4
9Проявитель0,6% раствор КОН в воде
10Светочувствительность, мдж/см2, не хуже150,0

Фоторезисты ФП-051К и ФП-051Т

Фоторезист ФП-051К (ТУ 6-14-920-86) предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве БИС на подложках с рельефом.

Фоторезист ФП-051Т (ТУ 6-14-919-86) предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве больших интегральных схем

NoХарактеристикиНорма
ФП-051КФП-051Т
1Внешний вид фоторезистаЖидкость красно-корич цвета без осадка
2Внешний вид пленки фоторезистаГладкая без разрывов
4Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек55,015,5 — 19,5
5Разрешаюшая способность, мкм, не более2,02,0
6Толщина пленки фоторезиста, мкм1,9 — 2,31,3
8Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее30,015,0
9Проявитель0,6% раствор КОН в воде

Фоторезисты ФН-11Су и ФН-11СКу (ТУ Р-11433386-4-О-92)

Предназначены для реализации фотолитографичексих процессов в производстве интегральных микросхем, масок, гибких выводных рамок на основе фольгированных диэлектриков, печатных микроплат, форм, и других изделий с использованием кислых и щелочных травителей металлов и сплавов (медь, алюминий, нихром и др.), для гальванического осаждения металлов.

NoХарактеристикиНорма
ФН-11СуФН-11СКу
1Внешний вид фоторезистаПрозрачная жидкость коричневого цвета
2Внешний вид пленки фоторезистаГладкая без разрывов
4Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек13+3150+10
5Разрешаюшая способность, мкм, не более8,08,0
9ПроявительУайт-спирит